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    澜起科技第二代DDR4内存缓冲控制器芯片荣获中国芯“年度重大创新突破产品”奖

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    2018年11月9日,第十三届中国集成电路产业促进大会在重庆市隆重召开,澜起科技第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02 在众多参选产品中脱颖而出,获评中国芯“年度重大创新突破产品”。

    2018中国芯
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    一年一度的中国集成电路产业促进大会由工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)主办,是国内集成电路领域重要的创新成果展示平台和业界交流盛会。大会揭晓了2018年第十三届“中国芯”优秀产品征集结果,对国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新成果进行了表彰。

    集成电路产业促进大会
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    据“中国芯”秘书处统计,2018“中国芯”优秀产品征集共收到来自102家企业的154款产品的申报材料,企业数和产品数均创历届新高。最终,由澜起科技自主研发的第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02 荣获本年度中国芯 “年度重大创新突破产品”奖。

    M88DDR4RCD02是澜起科技推出的第二代DDR4 寄存时钟驱动器(RCD)芯片,是应用于新一代服务器平台的高性能内存缓冲控制器芯片。该芯片可应用于两种DDR4内存模组:寄存双列直插内存模组(RDIMM)和减载双列直插内存模组(LRDIMM)。即,该RCD既可单独作为中央缓冲器用于RDIMM,又可以与第二代DDR4 数据缓冲器(DB)芯片组成套片,用于减载LRDIMM,为新一代服务器和数据中心提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。

    该芯片符合 JEDEC DDR4RCD02 标准,支持DDR4-2667的数据速率,其性能和速率均远超第一代DDR4寄存时钟驱动器芯片,后者支持的最高数据速率为DDR4-2400。M88DDR4RCD02支持 32 位 1:2 的地址和控制信号的寄存缓冲,并具有奇偶校验功能。随着JEDEC标准和内存技术的发展演变,澜起科技凭借其高速、低功耗技术,先后推出了DDR2、DDR3、DDR4等一系列内存缓冲控制器芯片。目前,澜起科技的内存缓冲控制器芯片已成功进入全球主流内存、服务器和云计算市场,并占据国际市场的重要份额。

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